티에이치테크(주)는

Ceramic , Quartz , Si , SiC 등 다양한 특수소재 가공 기술력을 확보하고 있습니다.

SiC란 무엇인가?

탄화규소는 SiC 또는 Silicon carbide로 표기하기도 한다.
탄화규소는 실리콘(Si)과 탄소(C)가 일대일로 결합된 화합물로, 다이아몬드 다음으로 단단한 물질이다.
SiC는 내마모성, 열전도성, 강도, 인성, 내식성, 내화학성, 내열성 등의 장점을 지닌 복합소재로, 특히 반도체 분야에서 활용도가 높은 소재. 주로 더미 웨이퍼(Dummy Wafer), 보트(Boat), 튜브(Tube), 링(Ring) 등의 반도체 부품에 사용되는데 최근에는 반도체 Front 공정에서 실리콘이나 석영으로 쓰여진 부품을 이들 보다 물질 특성이 우수한 SiC로 대체하는 추세이다.

링(Ring)은 반도체 Fabrication 가스 환경에서 웨이퍼 끝을 감싸는 부품이다.
CVD 공법으로 생산한 SiC Ring 부품은 Dry Etcher, Diffusion chamber용 parts의 수명 연장 및 수율 개선을 위해 사용한다.

SiC Focus Ring은 무엇인가?

SiC 소재를 이용하여 가공하는 Focus Ring은 반도체 에칭 공정 중 에칭용 플라즈마 가스를 모아주고 가이드하는 역할을 수행한다.
고에너지 플라즈마를 견디는 강한 물리적 특성 때문에 기존 제품 대비 교체 주기가 1.5배에서 2배까지 길다.
따라서 웨이퍼 수율 향상 및 비용 절감 면에서 기존 실리콘(Si) 링 대체 제품으로 바도체 제조업체의 관심이 뜨겁다.

특히 세계 메모리 반도체 시장의 상당 부분을 점유하고 있는 국내 반도체 제조업체에서 가장 먼저 SiC Ring을 채택, 현재는 Si Ring과 병행하여 사용하고 있으나 차츰 SiC Ring으로 전환하는 추세이다.